Новая флэш-память от SanDisk Toshiba

Компании SanDisk и Toshiba в совместном проекте добились наибольшей на сегодня емкости флэш-памяти 3D NAND (трехмерная НЕ-И). Речь идет о начале производства 256 Гб (32 ГБ), 3-х уровневой (по точности распознавания уровня заряда, три значения на ячейку, 3-bit-per-cell, triple-level cell, TLC или X3, не путайте с тремя разрядами/двоичными битами на ячейку) 48-слойная 3D NAND с емкостью вдвое больше наилучшей на сегодня флэш-памяти такого вида.

Пока партнеры Sandisk Toshiba «отпечатали» пилотную серию кристаллов 256 Гб X3 на новом заводе в Японии (Yokkaichi, Japan), а серийное производство запланировано на следующий год. Сотрудничество двух компаний началось еще в прошлом году для совместного использования производственных мощностей.

В марте Toshiba объявила 48-слойную (48-уровневую, layer, если считать уровни размещения в кристалле, а не уровни заряда ячейки) память 3D V-NAND с емкостью 128 Гбит (16 ГБ). Новые микросхемы 256 Гбит флэш-памяти будут выпускаться по 15-нм литографическому процессу и предназначены для самого широкого спектра областей применения. Новая технология вертикального стекирования названа BiCS (Bit Cost Scaling, масштабирование по битовой цене), в которой предполагается хранение трех единиц данных в одном транзисторе (т.е. трехуровневая ячейка, triple-level cell или TLC).

Bit Lines – битовые линии (чтение), Source Lines – линии источника (запись), Select Gates – вентили выборки, Word Lines – линии слов данных, Back Gate – вентиль обратный, Y-cut WL – Y-разрез для Word Lines, X-cut BL – X-разрез для Bit Lines.
BiCS обеспечивают наименьший размер кристалла среди любых выпускаемых микросхем 3D-NAND.
U-образные строки (линии) BiCS NAND поддерживают максимальную эффективность массива ячеек:
— Использование существующего завода по производству NAND. Не требуется EUV (Extreme ultraviolet lithography, экстремальная ультрафиолетовая литография).
— Масштабирование достигается за счет увеличения числа слоев.
Прекрасный результат в разработке BiCS
Вызов для всех изготовителей 3D-NAND:
— Устройства на основе поликристаллических TFT (тонкопленочных транзисторов) в NAND как первое серийное производство
— Многокомпонентное травление большого числа слоев с контролем качества
— Массовое серийное производство требует нового оборудования для травления и технологий масштабирования до большого числа слоев

В прошлом году Samsung первой стала производить трехмерные микросхемы 3D NAND по собственной «вертикальной» технологии V-NAND, которую сама эта компания называет
3D Charge Trap Flash (CTF) – трехмерная флэш-память с ловушками (ограничителями) заряда. Именно на эти изделия нацелены BiCS от SanDisk + Toshiba.

PS. Коллегам, пишущим на русском языке о BiCS: пожалуйста, разберитесь, чем отличаются биты, разряды и уровни заряда для ячейки памяти (или регистра, или слова). Подсказка: ячейка памяти (разряд слова) BiCS является троичным, а не двоичным разрядом (binary digit, bit) данных.

Источник:
http://www.computerworld.com/article/2956214/computer-hardware/sandisk-toshiba-double-down-announce-the-worlds-highest-capacity-3d-nand-flash-chips.html
https://www.toshiba.co.jp/about/press/2015_08/pr0401.htm